应变(001)p型金属氧化物半导体反型层空穴量子化

发布者:admin 发布时间:2019-10-22 18:26 浏览次数:

  微扰理论框架, 研究建立了单轴张/压应变Si, Si基双轴应变p型金属氧化物半导体(PMOS)反型层空穴量子化有效质量与空穴面内电导率有效质量模型. 结果表明: 对于单轴应力PMOS, 选择单轴压应力可有效增强器件的性能; 同等增强PMOS空穴迁移率, 需要施加的单轴力强度小于双轴力的强度; 在选择双轴应力增强器件性能时, 应优先选择应变Si作为沟道材料. 所获得的量化理论结论可为Si基及其他应变器件的物理理解及设计提供重要理论参考.

  教育部博士点基金(批准号:JY0300122503)和陕西省自然科学基础研究计划(批准号:2014JQ8329)资助的课题.


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